意法半导体最新的900V MDmesh™ K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。

      900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有首个RDS(ON)导通电阻低于100mΩ的900V MOSFET管，是RDS(ON) 电阻最低的DPAK产品。业内最低的栅电荷(Qg)确保开关速度更快，在需要宽输入电压的应用领域，实现更大的配置灵活性。这些特性确保标准准谐振电路、主动钳位设计等各种反激式转换器具有高能效和可靠性，覆盖低至35W高至230W的额定功率范围。此外，低输入输出电容(Ciss,Coss)可实现零电压开关，使半桥LLC谐振转换器的电能损耗最小化。