IRGS4056DPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IRGS4056DPBF - 

IGBT 600V 24A 140W D2PAK

Infineon Technologies IRGS4056DPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRGS4056DPBF
仓库库存编号:
IRGS4056DPBF-ND
描述:
IGBT 600V 24A 140W D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 600V 24A 140W Surface Mount D2PAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款,请确认好完整型号,我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款,详情请联系我司销售。

IRGS4056DPBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  D2PAK  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间(trr)  68ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  140W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  24A  
  测试条件  400V,12A,22 欧姆,15V  
  开关能量  75μJ(开),225μJ(关)  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  48A  
  IGBT 类型  沟道  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  1.85V @ 15V,12A  
  25°C 时 Td(开/关)值  31ns/83ns  
  栅极电荷  25nC  
关键词         

产品资料
数据列表 IRGS4056D
标准包装 50
其它名称 SP001546124

IRGS4056DPBF您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IRGS4056DPBF相关搜索

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 D2PAK  Infineon Technologies 供应商器件封装 D2PAK  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间(trr) 68ns  Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 68ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 68ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 68ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 140W  Infineon Technologies Power - Max 140W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 140W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 140W   Current - Collector (Ic) (Max) 24A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 24A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 24A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 24A   测试条件 400V,12A,22 欧姆,15V  Infineon Technologies 测试条件 400V,12A,22 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,12A,22 欧姆,15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,12A,22 欧姆,15V   开关能量 75μJ(开),225μJ(关)  Infineon Technologies 开关能量 75μJ(开),225μJ(关)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 75μJ(开),225μJ(关)  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 75μJ(开),225μJ(关)   Current - Collector Pulsed (Icm) 48A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 48A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 48A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 48A   IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.85V @ 15V,12A  Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.85V @ 15V,12A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.85V @ 15V,12A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.85V @ 15V,12A   25°C 时 Td(开/关)值 31ns/83ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 31ns/83ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 31ns/83ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 31ns/83ns   栅极电荷 25nC  Infineon Technologies 栅极电荷 25nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 25nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 25nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号