产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 37W TO220FP
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 37W Through Hole TO-220FP
型号:
STGF30H60DF
仓库库存编号:
497-13581-5-ND
别名:497-13581-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 75A 463W TO247
详细描述:IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3
型号:
HGTG30N60A4D
仓库库存编号:
HGTG30N60A4D-ND
别名:HGTG30N60A4D_NL
HGTG30N60A4D_NL-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GP60BDQ1G
仓库库存编号:
APT30GP60BDQ1G-ND
别名:APT30GP60BDQ1GMP
APT30GP60BDQ1GMP-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 93A 415W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GS60BRDQ2G
仓库库存编号:
APT50GS60BRDQ2G-ND
别名:APT50GS60BRDQ2GMI
APT50GS60BRDQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 550A 2300W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 550A 2300W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXXX300N60B3
仓库库存编号:
IXXX300N60B3-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 20A 65W TO220
详细描述:IGBT 600V 20A 65W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP10NC60HD
仓库库存编号:
497-5118-5-ND
别名:497-5118-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 9A 25W TO220FP
详细描述:IGBT 600V 9A 25W Through Hole TO-220FP
型号:
STGF10NC60KD
仓库库存编号:
497-5114-5-ND
别名:497-5114-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20KDSTRLP
仓库库存编号:
IRG4BC20KDSTRLPCT-ND
别名:IRG4BC20KDSTRLPCT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 25A 80W TO220
详细描述:IGBT 600V 25A 80W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP7NC60HD
仓库库存编号:
497-6735-5-ND
别名:497-6735-5
STGP7NC60HD-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 130W TO220
详细描述:IGBT 600V 40A 130W Through Hole TO-220
型号:
STGP19NC60HD
仓库库存编号:
497-8809-5-ND
别名:497-8809-5
STGP19NC60HD-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 100A 333W TO263-3
详细描述:IGBT Trench 600V 100A 333W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号:
IGB50N60T
仓库库存编号:
IGB50N60TCT-ND
别名:IGB50N60TCT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 200W TO247
详细描述:IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW20NC60VD
仓库库存编号:
497-4357-5-ND
别名:497-4357-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 250W TO247
详细描述:IGBT 600V 80A 250W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW39NC60VD
仓库库存编号:
497-5741-ND
别名:497-5741
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 120A 600W TO247
详细描述:IGBT Field Stop 600V 120A 600W Through Hole TO-247-3
型号:
FGH60N60SMD
仓库库存编号:
FGH60N60SMD-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 49A 160W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC40FDPBF
仓库库存编号:
IRG4PC40FDPBF-ND
别名:*IRG4PC40FDPBF
SP001540552
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 55A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC50UDPBF
仓库库存编号:
IRG4PC50UDPBF-ND
别名:*IRG4PC50UDPBF
63-6001PBF
63-6001PBF-ND
SP001536024
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 40A 165W TO247
详细描述:IGBT 600V 40A 165W Through Hole TO-247
型号:
HGTG20N60B3D
仓库库存编号:
HGTG20N60B3DFS-ND
别名:HGTG20N60B3D-ND
HGTG20N60B3DFS
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 150A 750W POWER-247
详细描述:IGBT Field Stop 600V 150A 750W Through Hole PowerTO-247-3
型号:
FGY75N60SMD
仓库库存编号:
FGY75N60SMDFS-ND
别名:FGY75N60SMD-ND
FGY75N60SMDFS
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 90A 520W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 90A 520W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC60FPBF
仓库库存编号:
IRG4PC60FPBF-ND
别名:*IRG4PC60FPBF
SP001532584
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 70A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC50FDPBF
仓库库存编号:
IRG4PC50FDPBF-ND
别名:*IRG4PC50FDPBF
SP001545704
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 75A 463W TO247
详细描述:IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3
型号:
HGTG30N60A4
仓库库存编号:
HGTG30N60A4-ND
别名:HGTG30N60A4_NL
HGTG30N60A4_NL-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 80A 428W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 428W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW75N60TFKSA1
仓库库存编号:
IKW75N60TFKSA1-ND
别名:IKW75N60T
IKW75N60T-ND
SP000054889
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 160A 250W TO264
详细描述:IGBT 600V 160A 250W Through Hole TO-264
型号:
SGL160N60UFDTU
仓库库存编号:
SGL160N60UFDTU-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 143A 625W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264
型号:
APT80GA60LD40
仓库库存编号:
APT80GA60LD40-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 240A 750W SUPER-247
详细描述:IGBT Trench 600V 240A 750W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRGPS4067DPBF
仓库库存编号:
IRGPS4067DPBF-ND
别名:SP001536538
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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