关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	D-Pak
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	234ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	40W
Current - Collector (Ic) (Max)	6A
测试条件	480V，3A，470 欧姆，10V
开关能量	250μJ（开），1mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	25A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.5V @ 10V，3A
25°C 时 Td（开/关）值	40ns/600ns
栅极电荷	12.5nC
关键词

产品资料

数据列表	FGD3N60LSD
标准包装	1
其它名称	FGD3N60LSDTMCT

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 D-Pak  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 D-Pak  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 234ns  Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 234ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 234ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 234ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 40W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 40W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 40W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 40W   Current - Collector (Ic) (Max) 6A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 6A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A   测试条件 480V，3A，470 欧姆，10V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 480V，3A，470 欧姆，10V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，3A，470 欧姆，10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，3A，470 欧姆，10V   开关能量 250μJ（开），1mJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 250μJ（开），1mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 250μJ（开），1mJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 250μJ（开），1mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 25A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 25A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 25A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 25A   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 10V，3A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 10V，3A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 10V，3A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 10V，3A   25°C 时 Td（开/关）值 40ns/600ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 40ns/600ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 40ns/600ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 40ns/600ns   栅极电荷 12.5nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 12.5nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 12.5nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 12.5nC