DMN1019UFDE-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

DMN1019UFDE-7 - 

MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Diodes Incorporated DMN1019UFDE-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMN1019UFDE-7
仓库库存编号：
DMN1019UFDE-7DICT-ND
描述：
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 690mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。

DMN1019UFDE-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-UDFN 裸露焊盘  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  U-DFN2020-6（E 类）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  50.6nC @ 8V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  10 毫欧 @ 9.7A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  1.2V，4.5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  11A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2425pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  800mV @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  690mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  12V  
关键词         

产品资料
数据列表 DMN1019UFDE
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
标准包装 1
其它名称 DMN1019UFDE-7DICT

DMN1019UFDE-7您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

DMN1019UFDE-7相关搜索

封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 U-DFN2020-6（E 类）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 U-DFN2020-6（E 类）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 U-DFN2020-6（E 类）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 U-DFN2020-6（E 类）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Diodes Incorporated 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±8V  Diodes Incorporated Vgs（最大值） ±8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50.6nC @ 8V  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50.6nC @ 8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50.6nC @ 8V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50.6nC @ 8V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V  Diodes Incorporated 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V   FET 类型 N 沟道  Diodes Incorporated FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Ta）  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Ta）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2425pF @ 10V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2425pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2425pF @ 10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2425pF @ 10V   FET 功能 -  Diodes Incorporated FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA   功率耗散（最大值） 690mW（Ta）  Diodes Incorporated 功率耗散（最大值） 690mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 690mW（Ta）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 690mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 12V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 12V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 12V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号