规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13381F4
仓库库存编号:
296-38912-2-ND
别名:296-38912-2
CSD13381F4-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFTR-ND
别名:SSM3J338R,LF(B
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFCT-ND
别名:SSM3J338RLFCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFDKR-ND
别名:SSM3J338RLFDKR
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Ta) 625mW(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS3151PT1G
仓库库存编号:
NTJS3151PT1GOSCT-ND
别名:NTJS3151PT1GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Ta) 680mW(Ta) SC-59
型号:
DMN1019USN-13
仓库库存编号:
DMN1019USN-13DICT-ND
别名:DMN1019USN-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2315BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2315BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2315BDS-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 1.6W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1401EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1401EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1401EDH-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2333CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2333CDS-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 690mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN1019UFDE-7
仓库库存编号:
DMN1019UFDE-7DICT-ND
别名:DMN1019UFDE-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA910EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA910EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA910EDJ-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2333DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2333DS-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA975DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA975DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA975DJ-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4931DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4931DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4931DY-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4931DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4931DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4931DY-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.9A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6913DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6913DQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6913DQ-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.5A(Tc) 2.5W(Ta),4.45W(Tc) 8-SO
型号:
SI4866BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4866BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4866BDY-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6423DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6423DQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6423DQ-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7234DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7234DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7234DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.41A(Ta) 500mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMN1150UFB-7B
仓库库存编号:
DMN1150UFB-7BDICT-ND
别名:DMN1150UFB-7BDICT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.56W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1442DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1442DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1442DH-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6401TRPBF
仓库库存编号:
IRLML6401PBFCT-ND
别名:*IRLML6401TRPBF
IRLML6401PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.2W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD13201W10
仓库库存编号:
296-41412-1-ND
别名:296-41412-1
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13381F4T
仓库库存编号:
296-37779-1-ND
别名:296-37779-1
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.8A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DMP1046UFDB-7
仓库库存编号:
DMP1046UFDB-7DICT-ND
别名:DMP1046UFDB-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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