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STP16N65M5

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制造商型号: STP16N65M5
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
技术参考: Rohs ST(意法) STP16N65M5 PDF
库存状态: 实时库存查询 所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 STB16N65M5, STD16N65M5
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
其它有关文件 STP16N65M5 View All Specifications
产品培训模块 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 MDmesh™
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 12A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) 299 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1250pF @ 100V
功率 - 最大值 90W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220-3
产品目录页面 1541 (CN2011-ZH PDF)
工具箱
497-8012-KIT-ND - KIT MOSFET MD MESH
其它名称 497-8788-5
自家仓库 仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
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(工作日)
操作
STP16N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

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STP16N65M5
STMICROELECTRONICS STP16N65M5
2098296

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V

(EN)
23 有货
可于1-2周内达送包装规格:每个1 + ¥50.11
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STMicroelectronics - STP16N65M5 - STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP16N65M5, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

2 + ¥62.86
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制造商零件编号:
STP16N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5298

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 库存数 / 价格 / 订货 操作

STMicroelectronics - STP16N65M5 - MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
型号:STP16N65M5
仓库库存编号:497-8788-5-ND
别名:497-8788-5
无铅 607 可立即发货
可于1-2周内送达
1 + ¥58.55
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原厂订货交期:38 周
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意法半导体的LSM6DSO iNEMO™惯性力精确测量模块(IMU)是这款融合Always-On(自始至终处在工作态度)3D加速度计和3D手机陀螺仪的系统软件级封裝,不但自身 具备挺高的能耗等级和精准度,还能让全部嵌入式系统具备更高的能耗等级。
意法半导体(ST)发布Always-On惯性力精确测量模块 提升精确测量精密度,优化软件功率
系统软件级能耗等级的提升,2个关键特点功不可没。LSM6DSO集成化1个9KB的FIFO存储芯片,可以比平级传感器储存大量的统计数据,让系统软件CPU的等待的时间更长,并降低统计数据恳求频次。除此之外,LSM6DSO还要串行外接设备插口(SPI)/ I2C中提升了MIPII3C℠串行接口。迅速的MIPI I3C插口传输速率,出示了动态性详细地址分派和追随连接点进行的通讯作用,通讯速率也是I2C的10倍上下。根据提升统计数据传输速率,降低传送频次,LSM6DSO可使CPU睡觉时间更长,系统软件功率越来越少。
LSM6DSO相互配合内嵌式程控有限状态机能够 缓解CPU的工作中负载,从简易的相对标准偏差每日任务中脱身,进而深化节约系统软件电磁能。
LSM6DSO也很高度重视精确测量精准度。加速度计满量程为±2至±16g,手机陀螺仪满量程为±125至±2000 dps,总体噪音特性处在同行业最好水准,瞬时速度噪音抗压强度为70 mg /√Hz,角速度噪音抗压强度(RND)为3.8mdps /√Hz,可配备位置延迟时间适用数码照相机OIS / EIS防抖作用,ZRL典型值为±1dps,这种作用合适各种各样运用,尤其精准健身运动检验和提升照相机特性层面。
该传感器还适用意法半导体开发设计的应用浮点数学课与运算将计步误差率减少60%的增强版计步器优化算法,并集成化1个可以鉴别公交车、地铁站等代步工具的中移动姿势,防止将其误算为走动计步的误报抑止控制模块。除此之外,该计步优化算法的可配备性很强,可依据人体主要参数调节传感器,以融入特殊的消费群,进而全面提高精确测量精密度。

询价

业务受理时间:周一至周五(上午9:00~下午18:00),下午17:00以前的订单当日发货,17:00往后的订单第二天发货(周日、节假日顺延),推荐合作货运物流:顺丰速递。速递费用:23元。
创唯电子ST产品型号齐全,代理进口电子元器件产品众多,可来电加Q咨询,量大优惠,梯度报价!

联系方式
联系人:吕先生 13006692189(手机/微信)
电话:400-900-3095 0755-21000796
传真:0755-27582171
邮箱:sales@szcwdz.com
企业QQ:800152669



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