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STP10NM60N

STP10NM60N  ST意法全系列产品索引
制造商型号: STP10NM60N
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,600V,8A,TO220
技术参考: Rohs ST(意法) STP10NM60N PDF
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
典型关断延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 9.2 ns
典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds 577 pF V @ 50
安装类型 通孔
宽度 4.6mm
封装类型 TO-220
尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
引脚数目 4
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 70 W
最大栅源电压 ±25 V
最大漏源电压 600 V
最大漏源电阻值 0.6 Ω
最大连续漏极电流 8 A
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
类别 功率 MOSFET
通道模式 增强
通道类型 N
配置 双漏极
长度 10.4mm
高度 15.75mm
 自家仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
STP10NM60N STMicroelectronics MOSFET,N沟道,600V,8A,TO220 查看库存、价格及货期
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 库存数 操作
STP10NM60N
STMICROELECTRONICS STP10NM60N
2098287

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V

 (EN)
67 有货
可于1-2周内达送包装规格:每个1 + ¥31.63
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制造商零件编号:
STP10NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9972
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制造商零件编号:
STP10NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9654
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 库存数 / 价格 / 订货 操作

STMicroelectronics - STP10NM60N - MOSFET N-CH 600V 10A TO220
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220

详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:STP10NM60N
仓库库存编号:497-9098-5-ND
别名:497-9098-5 
无铅 400 可立即发货 
可于1-2周内送达
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原厂订货交期:38 周
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STMicroelectronics - STP10NM60ND - MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 70W(Tc) TO-220
型号:STP10NM60ND
仓库库存编号:497-12276-ND
别名:497-12276 
无铅 75 可立即发货 
可于1-2周内送达
1 + ¥38.83
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原厂订货交期:38 周
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以便安全防护网联小车的作用,安全性地安裝OTA系统更新,新的Chorus集成ic集成化了硬件安全控制模块(HSM)。该控制模块具备非对称加密作用,符合实际EVITA规范,保持了业内领跑的攻击防御、检验和临时性围攻技术性。
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