规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS4114NT1G
仓库库存编号:
NTLJS4114NT1GOSCT-ND
别名:NTLJS4114NT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC640P
仓库库存编号:
FDC640PCT-ND
别名:FDC640PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT-28
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 14A 1.4W Surface Mount SOT-28FL/ECH8
型号:
ECH8693R-TL-W
仓库库存编号:
ECH8693R-TL-WOSCT-ND
别名:ECH8693R-TL-WOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) 6-WLCSP(1.0x1.5)
型号:
FDZ391P
仓库库存编号:
FDZ391PCT-ND
别名:FDZ391PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型
型号:
FDME410NZT
仓库库存编号:
FDME410NZTCT-ND
别名:FDME410NZTCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 16A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS9600S
仓库库存编号:
FDMS9600SCT-ND
别名:FDMS9600SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS4114NTAG
仓库库存编号:
NTLJS4114NTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta),63A(Tc) 1.4W(Ta),54.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4808N-1G
仓库库存编号:
NTD4808N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 24V 11.4A 1.7W Surface Mount PlnPAK
型号:
NTL4502NT1
仓库库存编号:
NTL4502NT1OS-ND
别名:NTL4502NT1OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 20V 16A(Ta) 37.5W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP4020P
仓库库存编号:
FDP4020P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 16A(Ta) 37.5W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB4020P
仓库库存编号:
FDB4020P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.5A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.5A(Ta) 1.8W(Ta) 9-BGA(2x2.1)
型号:
FDZ204P
仓库库存编号:
FDZ204P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.5A(Ta) 2W(Ta) 12-BGA(2x2.5)
型号:
FDZ202P
仓库库存编号:
FDZ202P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.6A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS4159NT1G
仓库库存编号:
NTLJS4159NT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ291P
仓库库存编号:
FDZ291PCT-ND
别名:FDZ291PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 10A(Ta),63A(Tc) 1.4W(Ta),54.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4808N-35G
仓库库存编号:
NTD4808N-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta),63A(Tc) 1.4W(Ta),54.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD4808NT4G
仓库库存编号:
NTD4808NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 9.6A(Ta),58A(Tc) 1.4W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4809N-1G
仓库库存编号:
NTD4809N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 9.6A(Ta),58A(Tc) 1.4W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4809N-35G
仓库库存编号:
NTD4809N-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 9.6A(Ta),58A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4809NA-1G
仓库库存编号:
NTD4809NA-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 9.6A(Ta),58A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4809NA-35G
仓库库存编号:
NTD4809NA-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.6A(Ta),58A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) DPAK
型号:
NTD4809NAT4G
仓库库存编号:
NTD4809NAT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.5A(Ta) 1.5W(Ta) 8-EMH
型号:
EMH1307-TL-H
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EMH1307-TL-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta),63A(Tc) 1.4W(Ta),54.6W(Tc) DPAK
型号:
NVD4808NT4G
仓库库存编号:
NVD4808NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
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