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NVD4808NT4G
NVD4808NT4G -
MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NVD4808NT4G
仓库库存编号:
NVD4808NT4G-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta),63A(Tc) 1.4W(Ta),54.6W(Tc) DPAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NVD4808NT4G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
DPAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
13nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8 毫欧 @ 30A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,11.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A(Ta),63A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1538pF @ 12V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.4W(Ta),54.6W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
标准包装
2,500
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系列 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
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包装 带卷(TR)
ON Semiconductor 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
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供应商器件封装 DPAK
ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK
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技术 MOSFET(金属氧化物)
ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 30A,10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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