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NTD4809N-1G
NTD4809N-1G -
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NTD4809N-1G
仓库库存编号:
NTD4809N-1G-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 30V 9.6A(Ta),58A(Tc) 1.4W(Ta),52W(Tc) I-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTD4809N-1G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
I-Pak
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
13nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
9 毫欧 @ 30A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,11.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.6A(Ta),58A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1456pF @ 12V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.4W(Ta),52W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
标准包装
75
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制造商 On Semiconductor
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 I-Pak
ON Semiconductor 供应商器件封装 I-Pak
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 I-Pak
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 I-Pak
技术 MOSFET(金属氧化物)
ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
ON Semiconductor Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 30A,10V
ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 30A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 30A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,11.5V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,11.5V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.6A(Ta),58A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1456pF @ 12V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1456pF @ 12V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1456pF @ 12V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 1.4W(Ta),52W(Tc)
ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 1.4W(Ta),52W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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