规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 1200V 900A
详细描述：IGBT Module Single Chopper 1200V 900A 5100W Chassis Mount Module
型号：
FD900R12IP4D
仓库库存编号：
FD900R12IP4D-ND
别名：SP000721122
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
搜索
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
PRIMPACK IGBT MOD VCE 1200V 900A
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single Chopper 1200V 900A 5100W Chassis Mount Module
型号：
DF900R12IP4D
仓库库存编号：
DF900R12IP4D-ND
别名：SP000721126
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
搜索
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 1200V 900A
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 900A 5100W Chassis Mount Module
型号：
FD900R12IP4DV
仓库库存编号：
FD900R12IP4DV-ND
别名：SP001156314
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
搜索
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
PRIMPACK IGBT MOD VCE 1200V 900A
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single Chopper 1200V 900A 5100W Chassis Mount Module
型号：
DF900R12IP4DV
仓库库存编号：
DF900R12IP4DV-ND
别名：SP001156308
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 360A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200TH120N
仓库库存编号：
VS-GB200TH120N-ND
别名：VSGB200TH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 330A 1316W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200TH120U
仓库库存编号：
VS-GB200TH120U-ND
别名：VSGB200TH120U
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 650A 2500W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB400AH120N
仓库库存编号：
VS-GB400AH120N-ND
别名：VSGB400AH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 1200V 1400A
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single Chopper 1200V 1400A 7700W Chassis Mount Module
型号：
DF1400R12IP4D
仓库库存编号：
DF1400R12IP4D-ND
别名：SP000721134
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 1200V 1400A
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 1400A 7700W Chassis Mount Module
型号：
FD1400R12IP4D
仓库库存编号：
FD1400R12IP4D-ND
别名：SP000721130
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 500A 1645W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB300TH120N
仓库库存编号：
VS-GB300TH120N-ND
别名：VSGB300TH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 530A 2119W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 530A 2119W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB300TH120U
仓库库存编号：
VS-GB300TH120U-ND
别名：VSGB300TH120U
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
详细描述：IGBT 1200V 3.2A 28W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IGD01N120H2BUMA1
仓库库存编号：
IGD01N120H2BUMA1TR-ND
别名：IGD01N120H2
IGD01N120H2-ND
SP000014523
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
SGD02N120
仓库库存编号：
SGD02N120BUMA1CT-ND
别名：SGD02N120CT
SGD02N120CT-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
详细描述：IGBT 1200V 3.2A 28W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
IGB01N120H2ATMA1
仓库库存编号：
IGB01N120H2ATMA1TR-ND
别名：IGB01N120H2
IGB01N120H2-ND
SP000014614
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3
型号：
SGB02N120
仓库库存编号：
SGB02N120ATMA1CT-ND
别名：SGB02N120CT
SGB02N120CT-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
详细描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3
型号：
IGB03N120H2ATMA1
仓库库存编号：
IGB03N120H2ATMA1TR-ND
别名：IGB03N120H2
IGB03N120H2-ND
SP000014616
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BH20K-STRLP
仓库库存编号：
IRG4BH20K-STRLP-ND
别名：SP001540346
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
详细描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
IKB03N120H2ATMA1
仓库库存编号：
IKB03N120H2ATMA1TR-ND
别名：IKB03N120H2
IKB03N120H2-ND
SP000014272
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2
详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
SKB02N120ATMA1
仓库库存编号：
SKB02N120ATMA1TR-ND
别名：SKB02N120
SKB02N120-ND
SP000012567
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT Trench 1200V 10A Surface Mount Die
型号：
IRG7CH30K10EF
仓库库存编号：
IRG7CH30K10EF-ND
别名：SP001536250
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 3A 29W TO220-3
详细描述：IGBT 1200V 3A 29W Through Hole PG-TO220-3
型号：
IGA03N120H2XKSA1
仓库库存编号：
IGA03N120H2XKSA1-ND
别名：IGA03N120H2
IGA03N120H2-ND
SP000215371
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Through Hole PG-TO220-3
型号：
SKP02N120XKSA1
仓库库存编号：
SKP02N120XKSA1-ND
别名：SKP02N120
SKP02N120-ND
SP000683134
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2
详细描述：IGBT NPT 1200V 16.5A 125W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
SGB07N120ATMA1
仓库库存编号：
SGB07N120ATMA1TR-ND
别名：SGB07N120
SGB07N120-ND
SP000012559
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 16A 70W TO247-3
详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 16A 70W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IGW08T120FKSA1
仓库库存编号：
IGW08T120FKSA1-ND
别名：IGW08T120
IGW08T120-ND
SP000013937
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT 1200V 15A Surface Mount Die
型号：
IRG7CH37K10EF
仓库库存编号：
IRG7CH37K10EF-ND
别名：SP001532534
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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