SGB02N120,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SGB02N120 - 

IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3

  • 不提供增值包装;备有另选包装。
Infineon Technologies SGB02N120
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SGB02N120
仓库库存编号:
SGB02N120ATMA1CT-ND
描述:
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SGB02N120产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PG-TO263-3  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  62W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  6.2A  
  测试条件  800V,2A,91 欧姆,15V  
  开关能量  220μJ  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  9.6A  
  IGBT 类型  NPT  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  3.6V @ 15V,2A  
  25°C 时 Td(开/关)值  23ns/260ns  
  栅极电荷  11nC  
关键词         

产品资料
数据列表 SGB02N120
标准包装 1
其它名称 SGB02N120CT
SGB02N120CT-ND

SGB02N120相关产品

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

SGB02N120相关搜索

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带(CT)   Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 零件状态  已不再提供  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 PG-TO263-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO263-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO263-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO263-3   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 62W  Infineon Technologies Power - Max 62W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 62W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 62W   Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A   测试条件 800V,2A,91 欧姆,15V  Infineon Technologies 测试条件 800V,2A,91 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 800V,2A,91 欧姆,15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 800V,2A,91 欧姆,15V   开关能量 220μJ  Infineon Technologies 开关能量 220μJ  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 220μJ  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 220μJ   Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A   IGBT 类型 NPT  Infineon Technologies IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,2A  Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,2A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,2A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,2A   25°C 时 Td(开/关)值 23ns/260ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/260ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/260ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/260ns   栅极电荷 11nC  Infineon Technologies 栅极电荷 11nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 11nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 11nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号