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IRG7CH30K10EF - 

IGBT CHIP WAFER

  • 非库存货
Infineon Technologies IRG7CH30K10EF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRG7CH30K10EF
仓库库存编号:
IRG7CH30K10EF-ND
描述:
IGBT CHIP WAFER
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 1200V 10A Surface Mount Die
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRG7CH30K10EF产品属性


产品规格
  封装/外壳  模具  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  模具  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Current - Collector (Ic) (Max)  10A  
  测试条件  600V,10A,22 欧姆,15V  
  开关能量  -  
  IGBT 类型  沟道  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.56V @ 15V,10A  
  25°C 时 Td(开/关)值  10ns/90ns  
  栅极电荷  4.8nC  
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产品资料
数据列表 IRG7CH30K10EF
标准包装 3,708
其它名称 SP001536250

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