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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW20N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014535
SPW20N60CFD
SPW20N60CFD-ND
SPW20N60CFDIN
SPW20N60CFDIN-ND
SPW20N60CFDX
SPW20N60CFDXK
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 450V 7A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3044
仓库库存编号:
2SK3044-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
含铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2A(Tc) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3047
仓库库存编号:
2SK3047-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.8A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8012-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8012-HQDKR-ND
别名:TPC8012-HDKR
TPC8012-HDKR-ND
TPC8012-HQDKR
TPC8012HTE12LQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8007-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCA8007HTE12LQCT-ND
别名:TPCA8007HTE12LQ
TPCA8007HTE12LQCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Tc) 139W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT1003RKLLG
仓库库存编号:
APT1003RKLLG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 3.5A(Tc) 135W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT1204R7KFLLG
仓库库存编号:
APT1204R7KFLLG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 28A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 520W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT28F60B
仓库库存编号:
APT28F60B-ND
别名:APT28F60BMI
APT28F60BMI-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 34A(Tc) 624W(Tc) TO-247-3
型号:
APT34F60BG
仓库库存编号:
APT34F60BG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 5A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT4M120K
仓库库存编号:
APT4M120K-ND
别名:APT4M120KMI
APT4M120KMI-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5018BLLG
仓库库存编号:
APT5018BLLG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 31A(Tc) 403W(Tc) TO-247-3
型号:
APT5518BFLLG
仓库库存编号:
APT5518BFLLG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 6A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT6M100K
仓库库存编号:
APT6M100K-ND
别名:APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXFI7N80P
仓库库存编号:
IXFI7N80P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1
型号:
APTM100H80FT1G
仓库库存编号:
APTM100H80FT1G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 25A 208W Chassis Mount SP1
型号:
APTM50A15FT1G
仓库库存编号:
APTM50A15FT1G-ND
别名:APTM50A15UT1G
APTM50A15UT1G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
型号:
APTM60A23FT1G
仓库库存编号:
APTM60A23FT1G-ND
别名:APTM60A23UT1G
APTM60A23UT1G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
详细描述:通孔 N 沟道 450V 10A(Ta) 65W(Tc) TO-220FL
型号:
2SK3309(Q)
仓库库存编号:
2SK3309(Q)-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 10A(Ta) 65W(Tc) TO-220SM
型号:
2SK3309(TE24L,Q)
仓库库存编号:
2SK3309(TE24L,Q)-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 160A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH160N15T
仓库库存编号:
IXFH160N15T-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150V 102A(Tc) 455W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP102N15T
仓库库存编号:
IXTP102N15T-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 150V 102A(Tc) 455W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ102N15T
仓库库存编号:
IXTQ102N15T-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
详细描述:通孔 N 沟道 450V 13A(Ta) 100W(Tc) TO-220FL
型号:
2SK3403(Q)
仓库库存编号:
2SK3403(Q)-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA,
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IXYS
MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 175V 150A(Tc) 830W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH150N17T
仓库库存编号:
IXTH150N17T-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 280V 80A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ80N28T
仓库库存编号:
IXTQ80N28T-ND
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