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APT34F60BG
APT34F60BG -
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
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制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT34F60BG
仓库库存编号:
APT34F60BG-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 600V 34A(Tc) 624W(Tc) TO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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APT34F60BG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
POWER MOS 8??
包装
管件
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
TO-247-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
165nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
210 毫欧 @ 17A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
34A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6640pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
624W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
APT34F60(B,S)
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 624W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT34F60B
仓库库存编号:
APT34F60B-ND
别名:APT34F60BMI
APT34F60BMI-ND
无铅
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