APT5518BFLLG,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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APT5518BFLLG
APT5518BFLLG -
MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT5518BFLLG
仓库库存编号:
APT5518BFLLG-ND
描述:
MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 550V 31A(Tc) 403W(Tc) TO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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APT5518BFLLG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
POWER MOS 7?
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-247-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
67nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
180 毫欧 @ 15.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
31A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3286pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
403W(Tc)
漏源电压(Vdss)
550V
关键词
产品资料
标准包装
30
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封装/外壳 TO-247-3
Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 通孔
Microsemi Corporation 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 POWER MOS 7?
Microsemi Corporation 系列 POWER MOS 7?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 POWER MOS 7?
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 POWER MOS 7?
包装 管件
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 过期
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-247-3
Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-247-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3
技术 MOSFET(金属氧化物)
Microsemi Corporation 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 67nC @ 10V
Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 67nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 67nC @ 10V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 67nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 15.5A,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3286pF @ 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3286pF @ 25V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 403W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 403W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 550V
Microsemi Corporation 漏源电压(Vdss) 550V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 550V
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