规格:FET 类型 P 沟道,
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-267AB
型号:
JANTXV2N7236U
仓库库存编号:
JANTXV2N7236U-ND
别名:JANTXV2N7236U-MIL
规格:FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-254AA
详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-254AA
型号:
2N7236
仓库库存编号:
2N7236-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V SMD1
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-267AB
型号:
2N7236U
仓库库存编号:
2N7236U-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
2N6804
仓库库存编号:
2N6804-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
2N6849
仓库库存编号:
2N6849-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18-LCC
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
2N6849U
仓库库存编号:
2N6849U-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET P-CH 50V SC-75
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 150mA(Ta) 250mW(Ta),770mW(Tc) SC-75
型号:
BSS84AKT,115
仓库库存编号:
568-10473-1-ND
别名:568-10473-1
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SC-75
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 200mA(Ta) 250mW(Ta),770mW(Tc) SC-75
型号:
NX3008PBKT,115
仓库库存编号:
568-10501-1-ND
别名:568-10501-1
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.7A(Ta) 485mW(Ta),6.25W(Tc) DFN2020-6
型号:
PMFPB8040XP,115
仓库库存编号:
1727-1352-1-ND
别名:1727-1352-1
568-10789-1
568-10789-1-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5A(Ta) 540mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN34UP,115
仓库库存编号:
1727-1357-1-ND
别名:1727-1357-1
568-10799-1
568-10799-1-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.7A(Ta) 500mW(Ta),8.33W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN40UPE,115
仓库库存编号:
1727-1358-1-ND
别名:1727-1358-1
568-10801-1
568-10801-1-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.6A(Ta) 510mW(Ta) 6-TSOP
型号:
PMN50UPE,115
仓库库存编号:
1727-1361-1-ND
别名:1727-1361-1
568-10804-1
568-10804-1-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 480mA(Ta) 250mW(Ta),770mW(Tc) SC-75
型号:
PMR670UPE,115
仓库库存编号:
568-10825-1-ND
别名:568-10825-1
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.3A(Ta) 800mW(Ta) 3-MPAK
型号:
RQJ0303PGDQA#H6
仓库库存编号:
RQJ0303PGDQA#H6-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述:通孔 P 沟道 40V 50mA(Ta) 375mW(Ta) TO-72
型号:
3N163
仓库库存编号:
3N163-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述:通孔 P 沟道 40V 50mA(Ta) 375mW(Ta) TO-72
型号:
3N163-2
仓库库存编号:
3N163-2-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述:通孔 P 沟道 40V 50mA(Ta) 375mW(Ta) TO-72
型号:
3N163-E3
仓库库存编号:
3N163-E3-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50MA TO-206AF
详细描述:通孔 P 沟道 30V 50mA(Ta) 375mW(Ta) TO-72
型号:
3N164
仓库库存编号:
3N164-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123
仓库库存编号:
IRFD9123-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
含铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 30V 20MA SOT-23
详细描述:JFET P-Channel 30V 350mW Surface Mount TO-236
型号:
SST174-E3
仓库库存编号:
SST174-E3-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 30V 20MA SOT-23
详细描述:JFET P-Channel 30V 350mW Surface Mount SOT-23
型号:
SST174-T1-E3
仓库库存编号:
SST174-T1-E3-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
JFET P-CH 55V 2MA SOT-23
详细描述:JFET P-Channel 40V 350mW Surface Mount SOT-23
型号:
SST5461-T1-E3
仓库库存编号:
SST5461-T1-E3-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
JFET P-CH 55V 4MA SOT-23
详细描述:JFET P-Channel 40V 350mW Surface Mount SOT-23
型号:
SST5462-T1-E3
仓库库存编号:
SST5462-T1-E3-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.2A(Ta),53A(Tc) 3.1W(Ta),104.2W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP53P06-20-GE3
仓库库存编号:
SUP53P06-20-GE3-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
详细描述:P 沟道 30V 320mA(Ta)
型号:
VP0300B-E3
仓库库存编号:
VP0300B-E3-ND
规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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