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VP0300B-E3
VP0300B-E3 -
MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
VP0300B-E3
仓库库存编号:
VP0300B-E3-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
P 沟道 30V 320mA(Ta)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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VP0300B-E3产品属性
产品规格
封装/外壳
-
制造商
Vishay Siliconix
工作温度
-
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
技术
MOSFET(金属氧化物)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
2.5 欧姆 @ 1A,12V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
320mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
150pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
-
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
标准包装
100
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Microchip Technology
MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 640mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0300L-G
仓库库存编号:
VN0300L-G-ND
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 280mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VP0808L-G
仓库库存编号:
VP0808L-G-ND
无铅
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包装 管件
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零件状态 过期
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.5 欧姆 @ 1A,12V
Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.5 欧姆 @ 1A,12V
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FET 类型 P 沟道
Vishay Siliconix FET 类型 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 320mA(Ta)
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