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3N163-2 - 

MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72

  • 已过时的产品。
Vishay Siliconix 3N163-2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
3N163-2
仓库库存编号:
3N163-2-ND
描述:
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 P 沟道 40V 50mA(Ta) 375mW(Ta) TO-72
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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3N163-2产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-206AF,TO-72-4 金属罐  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-72  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  250 欧姆 @ 100μA,20V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  20V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  50mA(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  3.5pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 10μA  
  功率耗散(最大值)  375mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  40V  
关键词         

产品资料
标准包装 20

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