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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1467DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1467DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1467DH-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7858ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7858ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7858ADP-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.7W（Ta） 4-WLCSP（1x1）
  
  型号：FDZ375P
  仓库库存编号：FDZ375PCT-ND
  别名：FDZ375PCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 410mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ1200UPEYL
  仓库库存编号：1727-2315-1-ND
  别名：1727-2315-1
  568-12601-1
  568-12601-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 410mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB1200UPEYL
  仓库库存编号：1727-2325-1-ND
  别名：1727-2325-1
  568-12611-1
  568-12611-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.2A（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB290UNE2YL
  仓库库存编号：1727-2328-1-ND
  别名：1727-2328-1
  568-12614-1
  568-12614-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1J002YNTCL
  仓库库存编号：RE1J002YNTCLCT-ND
  别名：RE1J002YNTCLCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 1.3A（Ta） 540mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMN2600UFB-7
  仓库库存编号：DMN2600UFB-7DICT-ND
  别名：DMN2600UFB-7DICT
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 500MA 0806
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 1.25W（Ta） PowerPAK? 0806
  
  型号：SIUD403ED-T1-GE3
  仓库库存编号：SIUD403ED-T1-GE3CT-ND
  别名：SIUD403ED-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB150UNEYL
  仓库库存编号：1727-2326-1-ND
  别名：1727-2326-1
  568-12612-1
  568-12612-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.4A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ200UNEYL
  仓库库存编号：1727-2317-1-ND
  别名：1727-2317-1
  568-12603-1
  568-12603-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET NCH 20V 800MA CST3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 800mA（Ta） 500mW（Ta） CST3
  
  型号：SSM3K56CT,L3F
  仓库库存编号：SSM3K56CTL3FCT-ND
  别名：SSM3K56CTL3FCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1A（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ290UNEYL
  仓库库存编号：1727-2318-1-ND
  别名：1727-2318-1
  568-12604-1
  568-12604-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 0.5A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2324-2-ND
  别名：1727-2324-2
  568-12610-2
  568-12610-2-ND
  934068445315
  PMZ950UPEYL-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2324-1-ND
  别名：1727-2324-1
  568-12610-1
  568-12610-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2324-6-ND
  别名：1727-2324-6
  568-12610-6
  568-12610-6-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2305CX RFG
  仓库库存编号：TSM2305CX RFGTR-ND
  别名：TSM2305CX RFGTR
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2305CX RFG
  仓库库存编号：TSM2305CX RFGCT-ND
  别名：TSM2305CX RFGCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2305CX RFG
  仓库库存编号：TSM2305CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2305CX RFGDKR
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.8A（Ta） 490mW（Ta） TO-236AB
  
  型号：PMV65UNER
  仓库库存编号：1727-2707-1-ND
  别名：1727-2707-1
  568-13226-1
  568-13226-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4A（Ta） 1W（Ta）
  
  型号：SSM3K345R,LF
  仓库库存编号：SSM3K345RLFCT-ND
  别名：SSM3K345RLFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3A（Ta） 1W（Ta）
  
  型号：SSM3K344R,LF
  仓库库存编号：SSM3K344RLFCT-ND
  别名：SSM3K344RLFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1.8A SC-70
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.2A（Ta） 395mW（Ta） SC-70
  
  型号：PMF63UNEX
  仓库库存编号：1727-2694-1-ND
  别名：1727-2694-1
  568-13213-1
  568-13213-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V XQFN3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2333-1-ND
  别名：1727-2333-1
  568-12619-1
  568-12619-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 600mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB600UNEYL
  仓库库存编号：1727-2332-1-ND
  别名：1727-2332-1
  568-12618-1
  568-12618-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±8V,
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