SSM3K344R,LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SSM3K344R,LF - 

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

  • 新产品 
Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K344R,LF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SSM3K344R,LF
仓库库存编号:
SSM3K344RLFCT-ND
描述:
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 20V 3A(Ta) 1W(Ta)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SSM3K344R,LF产品属性


产品规格
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  U-MOSVII-H  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  2nC @ 4V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  71 毫欧 @ 3A,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  1.5V,4.5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  3A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  153pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  1W(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 SSM3K344R
标准包装 1
其它名称 SSM3K344RLFCT

SSM3K344R,LF相关搜索

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)   系列 U-MOSVII-H  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVII-H  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 U-MOSVII-H  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 U-MOSVII-H   包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   技术 MOSFET(金属氧化物)  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±8V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs(最大值) ±8V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 4V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 71 毫欧 @ 3A,4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 71 毫欧 @ 3A,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 71 毫欧 @ 3A,4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 71 毫欧 @ 3A,4.5V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V   FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 153pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 153pF @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 153pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 153pF @ 10V   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA   功率耗散(最大值) 1W(Ta)  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散(最大值) 1W(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1W(Ta)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1W(Ta)   漏源电压(Vdss) 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压(Vdss) 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号