PMZB290UNE2YL,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PMZB290UNE2YL
PMZB290UNE2YL -
MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PMZB290UNE2YL
仓库库存编号:
1727-2328-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 20V 1.2A(Ta) 350mW(Ta),5.43W(Tc) DFN1006B-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMZB290UNE2YL产品属性
产品规格
封装/外壳
3-XFDFN
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
DFN1006B-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1.4nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
320 毫欧 @ 1.2A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
46pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
350mW(Ta),5.43W(Tc)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
PMZB290UNE2
标准包装
1
其它名称
1727-2328-1
568-12614-1
568-12614-1-ND
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制造商 Nexperia USA Inc.
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安装类型 表面贴装
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功率耗散(最大值) 350mW(Ta),5.43W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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