产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K36MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K36MFVL3FCT-ND
别名:SSM3K36MFV(TL3T)CT
SSM3K36MFV(TL3T)CT-ND
SSM3K36MFV(TPL3)CT
SSM3K36MFV(TPL3)CT-ND
SSM3K36MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
详细描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 100mA Surface Mount SOT-723
型号:
1SS362FV,L3F
仓库库存编号:
1SS362FVL3FCT-ND
别名:1SS362FVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 60MHz 150mW Surface Mount VESM
型号:
2SC6026MFVGR,L3F
仓库库存编号:
2SC6026MFVGRL3FCT-ND
别名:2SC6026MFVGRL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J15FV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J15FVL3FCT-ND
别名:SSM3J15FVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K37MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K37MFVL3FCT-ND
别名:SSM3K37MFVL3F(TCT
SSM3K37MFVL3F(TCT-ND
SSM3K37MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K15AMFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K15AMFVL3FCT-ND
别名:SSM3K15AMFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K56MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K56MFVL3FCT-ND
别名:SSM3K56MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 800mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J56MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J56MFVL3FCT-ND
别名:SSM3J56MFVL3F(TCT
SSM3J56MFVL3F(TCT-ND
SSM3J56MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J35MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J35MFVL3FCT-ND
别名:SSM3J35MFV(TL3T)CT
SSM3J35MFV(TL3T)CT-ND
SSM3J35MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1115MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1115MFVL3FCT-ND
别名:RN1115MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount VESM
型号:
2SA1955FVBTPL3Z
仓库库存编号:
2SA1955FVBTPL3ZCT-ND
别名:2SA1955FVBTPL3ZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100mA Surface Mount SOT-723
型号:
1SS361FV,L3F(T
仓库库存编号:
1SS361FVL3F(TCT-ND
别名:1SS361FVL3F(TCT
1SS361FVL3FCT
1SS361FVL3FCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1101MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1101MFVL3FCT-ND
别名:RN1101MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1105MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1105MFV,L3FCT-ND
别名:RN1105MFV(TL3T)CT
RN1105MFV(TL3T)CT-ND
RN1105MFV,L3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1103MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1103MFVL3FCT-ND
别名:RN1103MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1102MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1102MFVL3FCT-ND
别名:RN1102MFV(TL3T)CT
RN1102MFV(TL3T)CT-ND
RN1102MFVL3F(BCT
RN1102MFVL3F(BCT-ND
RN1102MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50V 0.15A VESM
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 150mW Surface Mount VESM
型号:
2SA2154MFV-GR(TPL3
仓库库存编号:
2SA2154MFV-GR(TPL3CT-ND
别名:2SA2154MFV-GR(TPL3)CT
2SA2154MFV-GR(TPL3)CT-ND
2SA2154MFV-GR(TPL3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1110MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1110MFVL3FCT-ND
别名:RN1110MFV(TL3T)CT
RN1110MFV(TL3T)CT-ND
RN1110MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1130MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1130MFVL3FCT-ND
别名:RN1130MFV(TL3T)CT
RN1130MFV(TL3T)CT-ND
RN1130MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1131MFV(TL3,T)
仓库库存编号:
RN1131MFV(TL3T)CT-ND
别名:RN1131MFV(TL3T)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN2118MFV(TPL3)
仓库库存编号:
RN2118MFV(TPL3)CT-ND
别名:RN2118MFV(TPL3)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN2119MFV(TPL3)
仓库库存编号:
RN2119MFV(TPL3)CT-ND
别名:RN2119MFV(TPL3)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K35MFV(TPL3)
仓库库存编号:
SSM3K35MFV(TPL3)CT-ND
别名:SSM3K35MFV(TPL3)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
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TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1104MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1104MFVL3FCT-ND
别名:RN1104MFV(TL3T)CT
RN1104MFV(TL3T)CT-ND
RN1104MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1117MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1117MFVL3F-ND
别名:RN1117MFVL3F
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 VESM,
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