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SSM3K15AMFV,L3F - 

MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III

Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AMFV,L3F
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SSM3K15AMFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K15AMFVL3FCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SSM3K15AMFV,L3F产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-723  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  U-MOSIII  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  VESM  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3.6 欧姆 @ 10mA,4V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  2.5V,4V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  100mA(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  13.5pF @ 3V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.5V @ 100μA  
  功率耗散(最大值)  150mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 SSM3K15AMFV
标准包装 1
其它名称 SSM3K15AMFVL3FCT

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