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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R6-30PL,127
  仓库库存编号：1727-4269-ND
  别名：1727-4269
  568-4900-5
  568-4900-5-ND
  934063916127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB80NF03L-04-1
  仓库库存编号：497-12540-5-ND
  别名：497-12540-5
  STB80NF03L-04-1-ND
  STB80NF03L041
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• EPC
  MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 9.5A (Tj), 38A (Tj) Surface Mount Die
  
  型号：EPC2100ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2100ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2100ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
  
  型号：DMP3120L-7
  仓库库存编号：1034-DMP3120L-7DI-ND
  别名：1034-DMP3120L-7DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） ESV
  
  型号：SSM5N15FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM5N15FE(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM5N15FE(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A USV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 200mW（Ta） USV
  
  型号：SSM5N15FU,LF
  仓库库存编号：SSM5N15FULFCT-ND
  别名：SSM5N15FU(TE85LF)CT
  SSM5N15FU(TE85LF)CT-ND
  SSM5N15FULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8002-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCC8002-H(TE12LQCT-ND
  别名：TPCC8002-H(TE12LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8002-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：1246-TPCC8002-H(TE12LQ-CHP
  别名：TPCC8002HTE12LQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CHANNEL 30V 2A 3SMD
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J117TU,LF
  仓库库存编号：SSM3J117TULFCT-ND
  别名：SSM3J117TULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 900mW（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3360-TL-W
  仓库库存编号：CPH3360-TL-WOSCT-ND
  别名：CPH3360-TL-WOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7416
  仓库库存编号：785-1583-1-ND
  别名：785-1583-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.4A, 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL316CH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL316CH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSL316CH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta），41A（Tc） 910mW（Ta），22.3W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4943NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4943NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4943NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3029LFG-7
  仓库库存编号：DMN3029LFG-7DICT-ND
  别名：DMN3029LFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.2A 1.6W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
  
  型号：AON5802B
  仓库库存编号：AON5802B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 2.3A, 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL308CH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL308CH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSL308CH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 980mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMS3016SFG-7
  仓库库存编号：DMS3016SFG-7DICT-ND
  别名：DMS3016SFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP-6-1
  
  型号：BSL307SPH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL307SPH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSL307SPH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC079N03LSCGATMA1
  仓库库存编号：BSC079N03LSCGATMA1CT-ND
  别名：BSC079N03LSCGATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.68W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMG8880LK3-13
  仓库库存编号：DMG8880LK3-13DICT-ND
  别名：DMG8880LK3-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Panasonic Electronic Components
  JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3
  详细描述：JFET N-Channel 500μA @ 10V 150mW Surface Mount Mini3-G1
  
  型号：2SK01980RL
  仓库库存编号：2SK01980RLCT-ND
  别名：2SK01980RLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1E002SPTCL
  仓库库存编号：RE1E002SPTCLCT-ND
  别名：RE1E002SPTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3W（Ta） 8-PSOP
  
  型号：RMW130N03TB
  仓库库存编号：RMW130N03TBCT-ND
  别名：RMW130N03TBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC034N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC034N03LSGATMA1TR-ND
  别名：BSC034N03LS G
  BSC034N03LS G-ND
  SP000475948
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 690mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：NVR4003NT3G
  仓库库存编号：NVR4003NT3GOSCT-ND
  别名：NVR4003NT3GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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