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PSMN1R6-30PL,127 - 

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30PL,127
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PSMN1R6-30PL,127
仓库库存编号:
1727-4269-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 100A(Tc) 306W(Tc) TO-220AB
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PSMN1R6-30PL,127产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220AB  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  212nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  1.7 毫欧 @ 25A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  100A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  12493pF @ 12V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.15V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  306W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 PSMN1R6-30PL
标准包装 50
其它名称 1727-4269
568-4900-5
568-4900-5-ND
934063916127

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