EPC2100ENGRT,EPC,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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EPC2100ENGRT - 

MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE

EPC EPC2100ENGRT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
EPC EPC
制造商产品编号:
EPC2100ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2100ENGRCT-ND
描述:
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 9.5A (Tj), 38A (Tj) Surface Mount Die
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

EPC2100ENGRT产品属性


产品规格
  封装/外壳  模具  
  制造商  EPC  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  eGaN?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  模具  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  3.5nC @ 15V,15nC @ 15V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  8 毫欧 @ 25A,5V,2 毫欧 @ 25A,5V  
  FET 类型  2 个 N 通道(半桥)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  9.5A(Tj),38A(Tj)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  380pF @ 15V,1700pF @ 15V  
  FET 功能  GaNFET(氮化镓)  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA  
  漏源电压(Vdss)  30V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
数据列表 EPC2100 Preliminary Datasheet
应用说明 GaN Integration for Higher DC-DC Efficiency and Power Density
Assembling eGaN? FETs
Using eGaN? FETs
Quick Reference - Die Attach
Quick Reference - Die Removal
标准包装 1
其它名称 917-EPC2100ENGRCT

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