以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y12-80EX
  仓库库存编号：BUK7Y12-80EX-ND
  别名：934067421115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y12-80E,115
  仓库库存编号：BUK9Y12-80E,115-ND
  别名：934067028115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V
  
  型号：PH7630DLX
  仓库库存编号：PH7630DLX-ND
  别名：934067605115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220
  详细描述：MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220
  
  型号：RJK5034DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK5034DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
  详细描述：RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5)
  
  型号：JDP2S12CR(TE85L,Q
  仓库库存编号：JDP2S12CR(TE85LQCT-ND
  别名：JDP2S12CR(TE85LQ)CT
  JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND
  JDP2S12CR(TE85LQCT
  JDP2S12CR(TE85LQMCT
  JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE STANDARD 15V FSC
  详细描述：RF Diode Standard - Single 15V fSC
  
  型号：JDV2S41FS(TPL3)
  仓库库存编号：JDV2S41FS(TPL3)CT-ND
  别名：JDV2S41FS(TPL3)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：MKE11R600DCGFC
  仓库库存编号：MKE11R600DCGFC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 25A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2801
  仓库库存编号：917-1035-1-ND
  别名：917-1035-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 33A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2815
  仓库库存编号：917-1036-1-ND
  别名：917-1036-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 12A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2818
  仓库库存编号：917-1037-1-ND
  别名：917-1037-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 8A SC-74
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN15UN,115
  仓库库存编号：568-10795-1-ND
  别名：568-10795-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 3DFN
  详细描述：MOSFET 3DFN
  
  型号：PMZ290UNYL
  仓库库存编号：568-10839-1-ND
  别名：568-10839-1
  PMZ290UN,315
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 4.4A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8004ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8004ENGR-ND
  别名：917-EPC8004ENGR
  EPC8004ENGA
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65V 4.1A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8009ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8009ENGR-ND
  别名：917-EPC8009ENGR
  EPC8009ENGG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• M/A-Com Technology Solutions
  SCH PLASTIC ZBD UNCONN PAIR
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Independent 1.5V SOT-143
  
  型号：MA4E2200E1-1068T
  仓库库存编号：1465-1222-1-ND
  别名：1465-1222-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 450mA（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD213
  仓库库存编号：IRFD213-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 4-HVMDIP
  
  型号：IRFD9123
  仓库库存编号：IRFD9123-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
  详细描述：P 沟道 30V 320mA（Ta）
  
  型号：VP0300B-E3
  仓库库存编号：VP0300B-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
  详细描述：MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
  
  型号：VQ1004P
  仓库库存编号：VQ1004P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
  详细描述：MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
  
  型号：VQ1004P-2
  仓库库存编号：VQ1004P-2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
  详细描述：MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
  
  型号：VQ1004P-E3
  仓库库存编号：VQ1004P-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
  详细描述：RF Diode PIN - 2 Independent 30V 50mA TESQ
  
  型号：JDP4P02AT(TE85L)
  仓库库存编号：JDP4P02AT(TE85L)CT-ND
  别名：JDP4P02AT(TE85L)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta）
  
  型号：DMG6968LSD-13
  仓库库存编号：DMG6968LSD-13DI-ND
  别名：DMG6968LSD-13DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252
  详细描述：MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252
  
  型号：DMP3025LK3-13-01
  仓库库存编号：DMP3025LK3-13-01DITR-ND
  别名：DMP3025LK3-13-01DITR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BAND SW 35V 100MA DO35
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA DO-35
  
  型号：BA282-TAP
  仓库库存编号：BA282-TAP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索