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JDP2S12CR(TE85L,Q
JDP2S12CR(TE85L,Q -
DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
不提供增值包装;备有另选包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
JDP2S12CR(TE85L,Q
仓库库存编号:
JDP2S12CR(TE85LQCT-ND
描述:
DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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JDP2S12CR(TE85L,Q产品属性
产品规格
封装/外壳
SOD-123F
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
工作温度
175°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
S-FLAT(1.6x3.5)
功率耗散(最大值)
-
二极管类型
PIN - 单
不同?Vr,F 时的电容
1.3pF @ 40V,1MHz
电流 - 最大值
1A
电压 - 峰值反向(最大值)
180V
不同?If,F 时的电阻
700 毫欧 @ 10mA,100MHz
关键词
产品资料
数据列表
JDP2S12CR
标准包装
1
其它名称
JDP2S12CR(TE85LQ)CT
JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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二极管 - 射频 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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工作温度 175°C(TJ)
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二极管 - 射频 工作温度 175°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 已不再提供
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二极管 - 射频 零件状态 已不再提供
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供应商器件封装 S-FLAT(1.6x3.5)
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 S-FLAT(1.6x3.5)
二极管 - 射频 供应商器件封装 S-FLAT(1.6x3.5)
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功率耗散(最大值) -
Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散(最大值) -
二极管 - 射频 功率耗散(最大值) -
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二极管类型 PIN - 单
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管类型 PIN - 单
二极管 - 射频 二极管类型 PIN - 单
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不同?Vr,F 时的电容 1.3pF @ 40V,1MHz
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电流 - 最大值 1A
Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 最大值 1A
二极管 - 射频 电流 - 最大值 1A
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电压 - 峰值反向(最大值) 180V
Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 峰值反向(最大值) 180V
二极管 - 射频 电压 - 峰值反向(最大值) 180V
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不同?If,F 时的电阻 700 毫欧 @ 10mA,100MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?If,F 时的电阻 700 毫欧 @ 10mA,100MHz
二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 700 毫欧 @ 10mA,100MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 700 毫欧 @ 10mA,100MHz
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