ULN2803APG,CN,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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ULN2803APG,CN - 

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

  • 已过时的产品。
Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803APG,CN
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ULN2803APG,CN
仓库库存编号：
ULN2803APGCN-ND
描述：
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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ULN2803APG,CN产品属性


产品规格
  封装/外壳  18-DIP（0.300"，7.62mm）  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -40°C ~ 85°C（TA）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  18-DIP  
  晶体管类型  8 NPN 达林顿  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  1000 @ 350mA，2V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  -  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  1.6V @ 500μA，350mA  
  频率 - 跃迁  -  
  功率 - 最大值  1.47W  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  500mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 ULN2803, ULN2804 APG, AFWG Datasheet
标准包装 800
其它名称 ULN2803APG
ULN2803APG(5,M)
ULN2803APG(CNHZN)
ULN2803APG(CNHZN)-ND
ULN2803APG(O,M)
ULN2803APG(O,N,HZA
ULN2803APG(O,N,HZN
ULN2803APG(OM)
ULN2803APG(OM)-ND
ULN2803APG(ONHZA
ULN2803APG(ONHZA-ND
ULN2803APG(ONHZN
ULN2803APG(ONHZN-ND
ULN2803APG-ND
ULN2803APGCN
ULN2803APGONHZN

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