产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号：
ULN2803A
仓库库存编号：
497-2356-5-ND
别名：497-2356-5
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号：
ULN2804A
仓库库存编号：
497-2357-5-ND
别名：497-2357-5
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO
型号：
ULQ2003D1013TR
仓库库存编号：
497-2359-1-ND
别名：497-2359-1
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO
型号：
ULQ2003D1013TRY
仓库库存编号：
497-10282-1-ND
别名：497-10282-1
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-PDIP
型号：
MC1413PG
仓库库存编号：
MC1413PGOS-ND
别名：MC1413PGOS
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-PDIP
型号：
MC1413BPG
仓库库存编号：
MC1413BPGOS-ND
别名：MC1413BPGOS
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号：
ULN2801A
仓库库存编号：
497-2354-5-ND
别名：497-2354-5
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO
型号：
ULQ2004D1013TR
仓库库存编号：
497-2361-1-ND
别名：497-2361-1
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
型号：
ULQ2004A
仓库库存编号：
497-2360-5-ND
别名：497-2360-5
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
型号：
ULQ2003A
仓库库存编号：
497-2358-5-ND
别名：497-2358-5
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
MC1413DR2G
仓库库存编号：
MC1413DR2GOSCT-ND
别名：MC1413DR2GOSCT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
MC1413BDR2G
仓库库存编号：
MC1413BDR2GOSCT-ND
别名：MC1413BDR2GOSCT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
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Rohm Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 60V 500mA 620mW Surface Mount 16-SOP
型号：
BA12004BF-E2
仓库库存编号：
BA12004BF-E2CT-ND
别名：BA12004BF-E2CT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号：
ULN2802A
仓库库存编号：
497-2355-5-ND
别名：497-2355-5
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1W Through Hole 18-DIP
型号：
ULQ2804A
仓库库存编号：
497-7692-5-ND
别名：497-7692-5
ULQ2804A-ND
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号：
ULQ2803A
仓库库存编号：
497-2362-5-ND
别名：497-2362-5
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
NCV1413BDR2G
仓库库存编号：
NCV1413BDR2GOSCT-ND
别名：NCV1413BDR2GOSCT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
型号：
ULQ2001A
仓库库存编号：
ULQ2001A-ND
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL
型号：
ULN2803AFWG,C,EL
仓库库存编号：
ULN2803AFWGCELCT-ND
别名：ULN2803AFWG(5ELMCT
ULN2803AFWG(5ELMCT-ND
ULN2803AFWG(CELHACT
ULN2803AFWG(CELHACT-ND
ULN2803AFWG(OELMCT
ULN2803AFWG(OELMCT-ND
ULN2803AFWG5ELMCT
ULN2803AFWG5ELMCT-ND
ULN2803AFWGCELCT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1W Through Hole 18-DIP
型号：
ULQ2802A
仓库库存编号：
497-6789-5-ND
别名：497-6789-5
ULQ2802A-ND
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
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TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
MC1413BDR2
仓库库存编号：
MC1413BDR2OSCT-ND
别名：MC1413BDR2OSCT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
MC1413DR2
仓库库存编号：
MC1413DR2OSCT-ND
别名：MC1413DR2OSCT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
含铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
型号：
E-ULN2001A
仓库库存编号：
497-4606-5-ND
别名：497-4606-5
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
型号：
E-ULN2004A
仓库库存编号：
497-4608-5-ND
别名：497-4608-5
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA
型号：
E-ULQ2003A
仓库库存编号：
497-4609-5-ND
别名：497-4609-5
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V,
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