2SK545-11D-TB-E,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - JFET
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - JFET
>
2SK545-11D-TB-E
2SK545-11D-TB-E -
JFET N-CH 1MA 125MW CP
非库存货
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
2SK545-11D-TB-E
仓库库存编号：
2SK545-11D-TB-E-ND
描述：
JFET N-CH 1MA 125MW CP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 60μA @ 10V 125mW Surface Mount 3-CP
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
2SK545-11D-TB-E产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
供应商器件封装
3-CP
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1.7pF @ 10V
漏源电压（Vdss）
40V
Power - Max
125mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
60μA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
1.5V @ 1μA
电阻 - RDS（开）
-
漏极电流（Id） - 最大值
1mA
关键词
产品资料
标准包装
3,000
2SK545-11D-TB-E您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
详细描述：JFET N-Channel 1.2mA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP
型号：
2SK3666-3-TB-E
仓库库存编号：
869-1107-1-ND
别名：869-1107-1
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
详细描述：JFET N-Channel 30μA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
MMBF4117
仓库库存编号：
MMBF4117CT-ND
别名：MMBF4117CT
无铅
搜索
ON Semiconductor
JFET N-CH 50MA 200MW CP
详细描述：JFET N-Channel 10mA @ 5V 200mW Surface Mount 3-CP
型号：
2SK932-23-TB-E
仓库库存编号：
2SK932-23-TB-EOSCT-ND
别名：2SK932-23-TB-EOSCT
无铅
搜索
2SK545-11D-TB-E相关搜索
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
工作温度 -
ON Semiconductor 工作温度 -
晶体管 - JFET 工作温度 -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 -
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - JFET 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -
包装 带卷（TR）
ON Semiconductor 包装 带卷（TR）
晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）
零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - JFET 零件状态 在售
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 在售
供应商器件封装 3-CP
ON Semiconductor 供应商器件封装 3-CP
晶体管 - JFET 供应商器件封装 3-CP
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 3-CP
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1.7pF @ 10V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1.7pF @ 10V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1.7pF @ 10V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1.7pF @ 10V
漏源电压（Vdss） 40V
ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 40V
晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 40V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 40V
Power - Max 125mW
ON Semiconductor Power - Max 125mW
晶体管 - JFET Power - Max 125mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 125mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 60μA @ 10V
ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 60μA @ 10V
晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 60μA @ 10V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 60μA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1.5V @ 1μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1.5V @ 1μA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1.5V @ 1μA
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 1.5V @ 1μA
电阻 - RDS（开） -
ON Semiconductor 电阻 - RDS（开） -
晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -
漏极电流（Id） - 最大值 1mA
ON Semiconductor 漏极电流（Id） - 最大值 1mA
晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 1mA
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 1mA
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
