MMBF4117,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - JFET
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MMBF4117 - 

JFET N-CH 40V 0.225W SOT23

Fairchild/ON Semiconductor MMBF4117
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MMBF4117
仓库库存编号:
MMBF4117CT-ND
描述:
JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET N-Channel 30μA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

MMBF4117产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-23-3  
  FET 类型  N 沟道  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  3pF @ 10V  
  Power - Max  225mW  
  不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)  30μA @ 10V  
  不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)  600mV @ 1nA  
  电压 - 击穿(V(BR)GSS)  40V  
  电阻 - RDS(开)  -  
关键词         

产品资料
数据列表 PN4117-19, MMBF4117-19
PCN 封装 Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
标准包装 1
其它名称 MMBF4117CT

MMBF4117您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

MMBF4117相关搜索

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - JFET 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -   包装 剪切带(CT)   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)   晶体管 - JFET 包装 剪切带(CT)   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - JFET 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23-3   FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 10V   Power - Max 225mW  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 225mW  晶体管 - JFET Power - Max 225mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 225mW   不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 30μA @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 30μA @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 30μA @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 30μA @ 10V   不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 600mV @ 1nA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 600mV @ 1nA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 600mV @ 1nA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 600mV @ 1nA   电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V  Fairchild/ON Semiconductor 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V   电阻 - RDS(开) -  Fairchild/ON Semiconductor 电阻 - RDS(开) -  晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号