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产品规格

封装/外壳	TO-220-5
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?
包装	管件
零件状态	上次购买时间
供应商器件封装	TO-220-5
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	116nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	7 毫欧 @ 50A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	75A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4500pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
功率耗散（最大值）	272W（Tc）
漏源电压（Vdss）	55V
关键词

产品资料

数据列表	BUK7907-55AIE
标准包装	50
其它名称	1727-2025 568-12144-5-ND 568-12144-ND 934057273127 BUK7907-55AIE BUK7907-55AIE,127-ND BUK7907-55AIE-ND

封装/外壳 TO-220-5  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-220-5  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-5  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-5   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 通孔  Nexperia USA Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?  Nexperia USA Inc. 系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?   包装 管件   Nexperia USA Inc. 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 上次购买时间  Nexperia USA Inc. 零件状态 上次购买时间  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 TO-220-5  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 TO-220-5  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220-5  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220-5   技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Nexperia USA Inc. Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 116nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 116nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 116nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 116nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 50A，10V  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 50A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 50A，10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 50A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Nexperia USA Inc. 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V   FET 功能 -  Nexperia USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA   功率耗散（最大值） 272W（Tc）  Nexperia USA Inc. 功率耗散（最大值） 272W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 272W（Tc）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 272W（Tc）   漏源电压（Vdss） 55V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 55V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V