产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB035N10A
仓库库存编号:
FDB035N10ACT-ND
别名:FDB035N10ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 145A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 145A(Tc) 153W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8444_F085
仓库库存编号:
FDD8444_F085CT-ND
别名:FDD8444_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 39A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 39A(Tc) 313W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R075CP
仓库库存编号:
IPW60R075CPIN-ND
别名:IPW60R075CPFKSA1
IPW60R075CPIN
IPW60R075CPXK
SP000358192
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH24N65E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH24N65E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH24N65E-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 97A(Tc) 221W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF100B202
仓库库存编号:
IRF100B202-ND
别名:SP001561488
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 1W(Ta),138W(Tc) 8-HSON
型号:
NP75N04YUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP75N04YUG-E1-AYCT-ND
别名:NP75N04YUG-E1-AYCT
NP75N04YUGE1AY
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5
型号:
BUK7907-55AIE,127
仓库库存编号:
1727-2025-ND
别名:1727-2025
568-12144-5-ND
568-12144-ND
934057273127
BUK7907-55AIE
BUK7907-55AIE,127-ND
BUK7907-55AIE-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 210A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 3.5W(Ta), 250W(Tc) 8-PSOF
型号:
FDBL0260N100
仓库库存编号:
FDBL0260N100CT-ND
别名:FDBL0260N100CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH26N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH26N60E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH26N60E-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 2.4W(Ta),227W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86135
仓库库存编号:
FDB86135CT-ND
别名:FDB86135CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP090N10
仓库库存编号:
FDP090N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5
型号:
BUK7907-55ATE,127
仓库库存编号:
1727-7223-ND
别名:1727-7223
568-9740-5
568-9740-5-ND
934056979127
BUK7907-55ATE
BUK7907-55ATE,127-ND
BUK7907-55ATE-ND
BUK790755ATE127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 333W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP036N10A
仓库库存编号:
FDP036N10A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 145A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 145A(Tc) 153W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8444
仓库库存编号:
FDD8444CT-ND
别名:FDD8444CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD100N03-3M2L_GE3
仓库库存编号:
SQD100N03-3M2L_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7C08-55AITE,118
仓库库存编号:
BUK7C08-55AITE,118-ND
别名:934057948118
BUK7C08-55AITE /T3
BUK7C08-55AITE /T3-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ50N60X
仓库库存编号:
IXFQ50N60X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N60X
仓库库存编号:
IXFT50N60X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-247
型号:
IXFH50N60X
仓库库存编号:
IXFH50N60X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 272W(Tc) SOT-426
型号:
BUK7107-55ATE,118
仓库库存编号:
568-9628-1-ND
别名:568-9628-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 272W(Tc) SOT-426
型号:
BUK7107-55AIE,118
仓库库存编号:
BUK7107-55AIE,118-ND
别名:934057272118
BUK7107-55AIE /T3
BUK7107-55AIE /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 116nC @ 10V,
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