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APTM100UM45DAG - 

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Microsemi Corporation APTM100UM45DAG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APTM100UM45DAG
仓库库存编号：
APTM100UM45DAG-ND
描述：
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
底座安装 N 沟道 215A（Tc） 5000W（Tc） SP6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

APTM100UM45DAG产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP6  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  POWER MOS 7?  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP6  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  1602nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  52 毫欧 @ 107.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  215A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  42700pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 30mA  
  功率耗散（最大值）  5000W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  1000V  
关键词         

产品资料
数据列表 APTM100UM45DAG
Power Products Catalog
标准包装 1

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