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APTM10UM01FAG - 

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Microsemi Corporation APTM10UM01FAG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APTM10UM01FAG
仓库库存编号:
APTM10UM01FAG-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 N 沟道 860A(Tc) 2500W(Tc) SP6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APTM10UM01FAG产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP6  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP6  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  2100nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  1.6 毫欧 @ 275A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  860A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  60000pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 12mA  
  功率耗散(最大值)  2500W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 APTM10UM01FAG
Power Products Catalog
标准包装 1
其它名称 APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND

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