IXLF19N250A,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXLF19N250A - 

IGBT 2500V 32A 250W I4PAC

IXYS IXLF19N250A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXLF19N250A
仓库库存编号:
IXLF19N250A-ND
描述:
IGBT 2500V 32A 250W I4PAC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
IGBT NPT 2500V 32A 250W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IXLF19N250A产品属性


产品规格
  封装/外壳  i4-Pac?-5(3 引线)  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  ISOPLUS i4-PAC?  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  2500V  
  Power - Max  250W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  32A  
  测试条件  1500V,19A,47 欧姆,15V  
  开关能量  15mJ(开),30mJ(关)  
  IGBT 类型  NPT  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  3.9V @ 15V,19A  
  25°C 时 Td(开/关)值  -  
  栅极电荷  142nC  
关键词         

产品资料
数据列表 IXLF19N250A
标准包装 25
其它名称 Q1750432
Q6027284

IXLF19N250A您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IXLF19N250A相关搜索

封装/外壳 i4-Pac?-5(3 引线)  IXYS 封装/外壳 i4-Pac?-5(3 引线)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 i4-Pac?-5(3 引线)  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 i4-Pac?-5(3 引线)   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   IXYS 包装 散装   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 散装   IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V   Power - Max 250W  IXYS Power - Max 250W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 250W  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 250W   Current - Collector (Ic) (Max) 32A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 32A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 32A  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 32A   测试条件 1500V,19A,47 欧姆,15V  IXYS 测试条件 1500V,19A,47 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 1500V,19A,47 欧姆,15V  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 1500V,19A,47 欧姆,15V   开关能量 15mJ(开),30mJ(关)  IXYS 开关能量 15mJ(开),30mJ(关)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 15mJ(开),30mJ(关)  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 15mJ(开),30mJ(关)   IGBT 类型 NPT  IXYS IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.9V @ 15V,19A  IXYS 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.9V @ 15V,19A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.9V @ 15V,19A  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.9V @ 15V,19A   25°C 时 Td(开/关)值 -  IXYS 25°C 时 Td(开/关)值 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -   栅极电荷 142nC  IXYS 栅极电荷 142nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 142nC  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 142nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号