IXBK55N300,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXBK55N300 - 

IGBT 3000V 130A 625W TO264

IXYS IXBK55N300
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
IXBK55N300
仓库库存编号：
IXBK55N300-ND
描述：
IGBT 3000V 130A 625W TO264
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT 3000V 130A 625W Through Hole TO-264
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IXBK55N300产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-264-3，TO-264AA  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  BIMOSFET??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-264  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间（trr）  1.9μs  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  3000V  
  Power - Max  625W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  130A  
  测试条件  -  
  开关能量  -  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  600A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  3.2V @ 15V，55A  
  25°C 时 Td（开/关）值  -  
  栅极电荷  335nC  
关键词         

产品资料
数据列表 IXB(K,X)55N300
标准包装 25

IXBK55N300您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IXBK55N300相关搜索

封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  IXYS 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 BIMOSFET??  IXYS 系列 BIMOSFET??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 BIMOSFET??  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 BIMOSFET??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-264  IXYS 供应商器件封装 TO-264  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 1.9μs  IXYS 反向恢复时间（trr） 1.9μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 1.9μs  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 1.9μs   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3000V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3000V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3000V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3000V   Power - Max 625W  IXYS Power - Max 625W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 625W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 625W   Current - Collector (Ic) (Max) 130A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 130A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 130A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 130A   测试条件 -  IXYS 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  IXYS 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 600A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.2V @ 15V，55A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.2V @ 15V，55A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.2V @ 15V，55A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.2V @ 15V，55A   25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -   栅极电荷 335nC  IXYS 栅极电荷 335nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 335nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 335nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号