IXKR40N60C,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXKR40N60C - 

MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247

  • 非库存货
IXYS IXKR40N60C
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXKR40N60C
仓库库存编号:
IXKR40N60C-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) ISOPLUS247?
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IXKR40N60C产品属性


产品规格
  封装/外壳  ISOPLUS247?  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  CoolMOS??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  ISOPLUS247?  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  250nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  70 毫欧 @ 25A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  38A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  FET 功能  超级结  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.9V @ 3mA  
  功率耗散(最大值)  -  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 IXKR40N60C
标准包装 30

IXKR40N60C相关搜索

封装/外壳 ISOPLUS247?  IXYS 封装/外壳 ISOPLUS247?  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 ISOPLUS247?  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 ISOPLUS247?   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)   系列 CoolMOS??  IXYS 系列 CoolMOS??  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 CoolMOS??  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 CoolMOS??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOPLUS247?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS247?  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS247?  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS247?   技术 MOSFET(金属氧化物)  IXYS 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±20V  IXYS Vgs(最大值) ±20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 25A,10V  IXYS 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 25A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 25A,10V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 25A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  IXYS 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V   FET 类型 N 沟道  IXYS FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc)  IXYS 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  IXYS 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -   FET 功能 超级结  IXYS FET 功能 超级结  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 超级结  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 超级结   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA   功率耗散(最大值) -  IXYS 功率耗散(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) -   漏源电压(Vdss) 600V  IXYS 漏源电压(Vdss) 600V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号