规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA38N30
仓库库存编号：
FDA38N30-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 38A
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
STP45N40DM2AG
仓库库存编号：
497-16136-5-ND
别名：497-16136-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 450W（Tc） TO-247
型号：
STW40N95K5
仓库库存编号：
497-15447-5-ND
别名：497-15447-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF5210STRLPBF
仓库库存编号：
IRF5210STRLPBFCT-ND
别名：IRF5210STRLPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP264PBF
仓库库存编号：
IRFP264PBF-ND
别名：*IRFP264PBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 341W（Tc） TO-220
型号：
IRFB4137PBF
仓库库存编号：
IRFB4137PBF-ND
别名：SP001554580
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R099C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R099C6XKSA1-ND
别名：SP000895218
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4137PBF
仓库库存编号：
IRFP4137PBF-ND
别名：SP001571068
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 950 V, 0.110 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 450W（Tc） TO-247-3
型号：
STWA40N95K5
仓库库存编号：
497-16335-5-ND
别名：497-16335-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 38A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 38A（Tc） 88W（Tc） DPAK
型号：
BUK7230-55A,118
仓库库存编号：
1727-7156-1-ND
别名：1727-7156-1
568-9639-1
568-9639-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 60V 38A（Tc） 46W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM170N06CH C5G
仓库库存编号：
TSM170N06CH C5G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 100V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 136W（Tc） TO-252
型号：
SQD40P10-40L_GE3
仓库库存编号：
SQD40P10-40L_GE3CT-ND
别名：SQD40P10-40L_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
型号：
STP80NF10FP
仓库库存编号：
497-5897-5-ND
别名：497-5897-5
STP80NF10FP-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI65R099C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R099C6XKSA1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R099C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R099C6XKSA1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R099C6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R099C6FKSA1-ND
别名：SP000896396
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
IRFPS38N60LPBF
仓库库存编号：
IRFPS38N60LPBF-ND
别名：*IRFPS38N60LPBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
STB45NF06T4
仓库库存编号：
497-10314-1-ND
别名：497-10314-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4628DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4628DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4628DY-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 313W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB38N30U
仓库库存编号：
FDB38N30UCT-ND
别名：FDB38N30UCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 38A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
型号：
STK38N3LLH5
仓库库存编号：
497-8784-1-ND
别名：497-8784-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 62W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK9M19-60EX
仓库库存编号：
1727-2574-1-ND
别名：1727-2574-1
568-13018-1
568-13018-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R099C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R099C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R099C6ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
STP45NF06
仓库库存编号：
497-3189-5-ND
别名：497-3189-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 38A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN38N100P
仓库库存编号：
IXFN38N100P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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