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IXFN140N20P - 

MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

IXYS IXFN140N20P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXFN140N20P
仓库库存编号:
IXFN140N20P-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 N 沟道 115A(Tc) 680W(Tc) SOT-227B
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFN140N20P产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-227-4,miniBLOC  
  制造商  IXYS  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  PolarHT??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-227B  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  240nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  18 毫欧 @ 70A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V,15V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  115A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  7500pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 4mA  
  功率耗散(最大值)  680W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  200V  
关键词         

产品资料
数据列表 IXFN140N20P
标准包装 10

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