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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),272W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P06-08L-E3
仓库库存编号:
SUM110P06-08L-E3CT-ND
别名:SUM110P06-08L-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 75A(Tc) 3.75W(Ta),187W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP75P03-07-E3
仓库库存编号:
SUP75P03-07-E3-ND
别名:SUP75P0307E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 800W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK180N15P
仓库库存编号:
IXTK180N15P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 170A TO-264
详细描述:通孔 P 沟道 170A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK170P10P
仓库库存编号:
IXTK170P10P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 150A(Tc) 680W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N15P
仓库库存编号:
IXFN180N15P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
详细描述:底座安装 P 沟道 170A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN170P10P
仓库库存编号:
IXTN170P10P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 72A(Tc) 1040W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN82N60P
仓库库存编号:
IXFN82N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS3004TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS3004TRL7PPCT-ND
别名:IRFS3004TRL7PPCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3107TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3107TRLCT-ND
别名:AUIRFS3107TRLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3107TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3107TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3107TRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 108A(Tc) 312W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR170P10P
仓库库存编号:
IXTR170P10P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2804STRLPBF
仓库库存编号:
IRF2804STRLPBFCT-ND
别名:IRF2804STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Ta) 380W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3004TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3004TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3004TRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2804PBF
仓库库存编号:
IRF2804PBF-ND
别名:*IRF2804PBF
94-0094PBF
94-0094PBF-ND
SP001571174
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3004PBF
仓库库存编号:
IRFB3004PBF-ND
别名:SP001572420
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 1890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB100N50P
仓库库存编号:
IXFB100N50P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 98A(Tc) 650W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRFBA90N20DPBF
仓库库存编号:
IRFBA90N20DPBF-ND
别名:*IRFBA90N20DPBF
SP001551776
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF2804S
仓库库存编号:
AUIRF2804S-ND
别名:SP001520210
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
AUIRF2804L
仓库库存编号:
AUIRF2804L-ND
别名:SP001522590
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH320N4F6-2
仓库库存编号:
497-13875-1-ND
别名:497-13875-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH320N4F6-6
仓库库存编号:
497-13838-1-ND
别名:497-13838-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 90A(Tc) 1040W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N50P
仓库库存编号:
IXFN100N50P-ND
别名:615236
Q3394492
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK140N20P
仓库库存编号:
IXFK140N20P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 26A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN26N90
仓库库存编号:
IXFN26N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1324PBF
仓库库存编号:
IRF1324PBF-ND
别名:SP001561460
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
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