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IRFSL3207
IRFSL3207 -
MOSFET N-CH 75V 180A TO-262
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRFSL3207
仓库库存编号:
IRFSL3207-ND
描述:
MOSFET N-CH 75V 180A TO-262
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 75V 180A(Tc) 330W(Tc) TO-262
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFSL3207产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-262
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
260nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.5 毫欧 @ 75A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
180A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7600pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
330W(Tc)
漏源电压(Vdss)
75V
关键词
产品资料
数据列表
IRFB3207, IRFS(L)3207
设计资源
IRFB3207PBF Saber Model
IRFB3207PBF Spice Model
标准包装
50
其它名称
*IRFSL3207
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制造商 Infineon Technologies
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安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 HEXFET?
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET?
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包装 管件
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零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-262
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V
Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 75A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 50V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 50V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 330W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 75V
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