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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6681Z
  仓库库存编号：FDS6681ZCT-ND
  别名：FDS6681ZCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH75N10
  仓库库存编号：IXFH75N10-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 1135W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN50N80Q2
  仓库库存编号：IXFN50N80Q2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6076ENZ1C9
  仓库库存编号：R6076ENZ1C9-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 131A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1405STRLPBF
  仓库库存编号：IRF1405STRLPBFCT-ND
  别名：IRF1405STRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3207TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3207TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS3207TRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 60A SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ407EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ407EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ407EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK661R9-40C,118
  仓库库存编号：1727-5518-1-ND
  别名：1727-5518-1
  568-6997-1
  568-6997-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 330W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRF2804S-7P
  仓库库存编号：AUIRF2804S-7P-ND
  别名：SP001521640
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：RSJ650N10TL
  仓库库存编号：RSJ650N10TLCT-ND
  别名：RSJ650N10TLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH110N10L2
  仓库库存编号：IXTH110N10L2-ND
  别名：624231
  Q5291125
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 330W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRF2804STRL7PP
  仓库库存编号：IRF2804STRL7PPCT-ND
  别名：IRF2804STRL7PPCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 169A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 169A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1405PBF
  仓库库存编号：IRF1405PBF-ND
  别名：*IRF1405PBF
  SP001574466
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH75N10
  仓库库存编号：IXTH75N10-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 174A（Tc） 330W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRFBA1405PPBF
  仓库库存编号：IRFBA1405PPBF-ND
  别名：*IRFBA1405PPBF
  SP001570808
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT47N60SC3G
  仓库库存编号：APT47N60SC3G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT29F100B2
  仓库库存编号：APT29F100B2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT24M120L
  仓库库存编号：APT24M120L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3207PBF
  仓库库存编号：IRFB3207PBF-ND
  别名：*IRFB3207PBF
  SP001572410
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
  
  型号：APT31M100L
  仓库库存编号：APT31M100L-ND
  别名：APT31M100LMP
  APT31M100LMP-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT24M120B2
  仓库库存编号：APT24M120B2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT47N60BC3G
  仓库库存编号：APT47N60BC3G-ND
  别名：APT47N60BC3GMI
  APT47N60BC3GMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT38F80L
  仓库库存编号：APT38F80L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK6E2R3-40C,127
  仓库库存编号：1727-5887-ND
  别名：1727-5887
  568-7504-5
  568-7504-5-ND
  934064472127
  BUK6E2R3-40C,127-ND
  BUK6E2R340C127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT110N10L2
  仓库库存编号：IXTT110N10L2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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