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IPP180N10N3GXKSA1 - 

MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3

Infineon Technologies IPP180N10N3GXKSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IPP180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP180N10N3GXKSA1-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-220-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPP180N10N3GXKSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  OptiMOS??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO-220-3  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  25nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  18 毫欧 @ 33A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  6V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  43A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1800pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.5V @ 33μA  
  功率耗散(最大值)  71W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPx180N10N3 G
标准包装 500
其它名称 IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090

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