规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN020-100YS,115
仓库库存编号:
1727-4286-1-ND
别名:1727-4286-1
568-4975-1
568-4975-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 113W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN059-150Y,115
仓库库存编号:
1727-4171-1-ND
别名:1727-4171-1
568-4734-1
568-4734-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR7807ZPBFCT-ND
别名:*IRLR7807ZTRPBF
IRLR7807ZPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3806TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3806TRPBFCT-ND
别名:IRFR3806TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3806TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3806TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3806TRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3415STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3415STRLPBFCT-ND
别名:IRF3415STRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3415PBF
仓库库存编号:
IRF3415PBF-ND
别名:*IRF3415PBF
64-0006PBF
64-0006PBF-ND
SP001564438
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4410ZPBF
仓库库存编号:
IRFI4410ZPBF-ND
别名:SP001566742
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3806PBF
仓库库存编号:
IRFB3806PBF-ND
别名:SP001572380
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3806PBF
仓库库存编号:
IRFSL3806PBF-ND
别名:SP001571672
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 200W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3415PBF
仓库库存编号:
IRFP3415PBF-ND
别名:*IRFP3415PBF
SP001566972
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPA075N15N3 G
仓库库存编号:
IPA075N15N3 G-ND
别名:IPA075N15N3G
IPA075N15N3GXKSA1
SP000607018
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 43A(Tc) 94W(Tc) DPAK
型号:
BUK9225-55A,118
仓库库存编号:
1727-7181-1-ND
别名:1727-7181-1
568-9667-1
568-9667-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 313W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP38N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP38N60E-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 313W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG47N60AE-GE3
仓库库存编号:
SIHG47N60AE-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 1.7W(Ta) 8-PDFN(3x3)
型号:
MCP87130T-U/LC
仓库库存编号:
MCP87130T-U/LCCT-ND
别名:MCP87130T-U/LCCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 2.1W(Ta) 8-PDFN(5x6)
型号:
MCP87130T-U/MF
仓库库存编号:
MCP87130T-U/MFCT-ND
别名:MCP87130T-U/MFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1TR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1-ND
IPD180N10N3GATMA1TR
SP000900132
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1DKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
IPA093N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA093N06N3GXKSA1-ND
别名:IPA093N06N3 G
IPA093N06N3 G-ND
IPA093N06N3G
SP000451088
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75842P3
仓库库存编号:
HUF75842P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 94W(Tc) DPAK
型号:
BUK7225-55A,118
仓库库存编号:
1727-7154-1-ND
别名:1727-7154-1
568-9637-1
568-9637-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS38N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS38N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS38N20DTRLPCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc),
无铅
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