IKW75N65EL5XKSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IKW75N65EL5XKSA1
IKW75N65EL5XKSA1 -
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IKW75N65EL5XKSA1
仓库库存编号:
IKW75N65EL5XKSA1IN-ND
描述:
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 650V 80A 536W Through Hole PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IKW75N65EL5XKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchStop? 5
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
114ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
536W
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
测试条件
400V,75A,4 欧姆,15V
开关能量
1.61mJ(开),3.2mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
300A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.35V @ 15V,75A
25°C 时 Td(开/关)值
40ns/275ns
栅极电荷
436nC
关键词
产品资料
数据列表
IKW75N65EL5
标准包装
240
其它名称
IKW75N65EL5XKSA1IN
SP001174464
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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详细描述:12 Position FFC Cable 0.020" (0.50mm) 7.874" (200.00mm)
型号:
687612200002
仓库库存编号:
732-3558-ND
别名:732-3558
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3
详细描述:IGBT 650V 85A 227W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW30N65L5XKSA1
仓库库存编号:
IGW30N65L5XKSA1IN-ND
别名:IGW30N65L5XKSA1IN
SP001174472
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
详细描述:IGBT 650V 85A 227W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW30N65EL5XKSA1
仓库库存编号:
IKW30N65EL5XKSA1IN-ND
别名:IKW30N65EL5XKSA1IN
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无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 100A TO247-4
详细描述:IGBT 650V 100A 536W Surface Mount PG-TO247-4
型号:
IKZ75N65EL5XKSA1
仓库库存编号:
IKZ75N65EL5XKSA1-5-ND
别名:IKZ75N65EL5XKSA1-5
SP001174456
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 395W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW75N65ES5XKSA1
仓库库存编号:
IKW75N65ES5XKSA1-ND
别名:SP001319684
无铅
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安装类型 通孔
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 436nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 436nC
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