IGW30N65L5XKSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IGW30N65L5XKSA1 - 

IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3

Infineon Technologies IGW30N65L5XKSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IGW30N65L5XKSA1
仓库库存编号:
IGW30N65L5XKSA1IN-ND
描述:
IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 650V 85A 227W Through Hole PG-TO247-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IGW30N65L5XKSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -40°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  TrenchStop? 5  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO247-3  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  650V  
  Power - Max  227W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  85A  
  测试条件  400V,30A,10 欧姆,15V  
  开关能量  470μJ(开),1.35mJ(关)  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  120A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  1.35V @ 15V,30A  
  25°C 时 Td(开/关)值  33ns/308ns  
  栅极电荷  168nC  
关键词         

产品资料
数据列表 IGW30N65L5
标准包装 240
其它名称 IGW30N65L5XKSA1IN
SP001174472

IGW30N65L5XKSA1您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IGW30N65L5XKSA1相关搜索

封装/外壳 TO-247-3  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)   系列 TrenchStop? 5  Infineon Technologies 系列 TrenchStop? 5  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 TrenchStop? 5  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 TrenchStop? 5   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TO247-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO247-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 227W  Infineon Technologies Power - Max 227W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 227W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 227W   Current - Collector (Ic) (Max) 85A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 85A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 85A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 85A   测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V  Infineon Technologies 测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V   开关能量 470μJ(开),1.35mJ(关)  Infineon Technologies 开关能量 470μJ(开),1.35mJ(关)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 470μJ(开),1.35mJ(关)  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 470μJ(开),1.35mJ(关)   Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A   IGBT 类型 -  Infineon Technologies IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.35V @ 15V,30A  Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.35V @ 15V,30A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.35V @ 15V,30A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.35V @ 15V,30A   25°C 时 Td(开/关)值 33ns/308ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 33ns/308ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 33ns/308ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 33ns/308ns   栅极电荷 168nC  Infineon Technologies 栅极电荷 168nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 168nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 168nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号